安波福

　　具体来说，它适用于 1,160 – 1,610MHz 的 RHCP（右旋圆极化）信号 – 预期覆盖范围是北斗 B1、B2a；GPS/QZSS L1、L5；格洛纳斯 G1 和伽利略 E1、E5a。
安波福采用高通QCS6490 CPU，提供64位程序支持。开发人员可以将Visual Studio更新到版本15.9或更高版本以实现Arm 64兼容性，从而简化现有项目的二进制编译。
HP5354.A 采用定制电陶瓷配方设计，在单个贴片中贴片解决方案中提供“堆叠贴片 L1-L5 性能”。它“具有 2.61dBi 的无源峰值增益，针对 GPS L1-L5、北斗 B1、伽利略 E1 和格洛纳斯 G1 操作进行了优化，可与下一代双频 GNSS 接收器配合使用”。

TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测
　　在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°
DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。
　　东芝刚刚发布了一款采用 1.9 x 1.9mm WCSP 封装的 700MHz 至 5GHz 单刀双掷天线开关。
　　东芝射频开关 TCWA1225G
　　该公司表示：“TCWA1225G 的输入峰值功率为 46dBm，PAR 为 8dB。这是通过采用东芝原创的 CMOS 工艺并优化内部开关电路实现的。”
　　　Pixel 9 型号的后置摄像头条经过重新设计，位于设备背面的中央。其他设计细节包括磨砂玻璃背面和抛光金属侧面，谷歌表示新设备的耐用性是 Pixel 8 智能手机的两倍。Fold 的机身更薄，配有流体摩擦铰链，并在设备的一半上设置了矩形摄像头。
STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm?Cortex?-M0微控制器和射频专用前端。

该技术能够满足包括英特尔?至强? 6、英特尔? Gaudi AI加速器等在内的产品散热需求，可以在为客户提供更多的冷却方案的同时，带来更好的PUE和更低的TCO。
安波福　　SK海力士的GDDR7能够以32Gbps的速度运行，比上一代快60%以上。“已经证实，根据使用环境，速度可以达到40Gbps，”SK海力士官员说。该产品可用于的显卡，每秒处理超过1.5TB的数据。这相当于一秒钟处理300部全高清（5GB）电影数据的速度。
　　凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
作为 VCSEL+SPAD 激光雷达技术路线的先行者，识光形成了独有的从激光雷达系统视角定义并优化 SPAD-SoC 芯片架构的能力，确保了 SQ100 从客户需求出发，切实解决实际问题、完成商业落地。