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SC130HS是思特威首颗基于SmartClarity-XL工艺平台打造的手机图像传感器。新品SC130HS采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载了SFCPixel、PixGain HDR等思特威先进成像技术和工艺，凭借高动态范围、高帧率、低噪声、低功耗等性能优势，可为高端智能手机前摄以及主流智能手机主摄带来出众的质感影像表现。
jst接插件TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。
本次所有产品均采用Pickering集团下专注于继电器设计生产制造的Pickering Electronic公司定制生产的的高品质镀钌舌簧继电器。这些开关采用内部结构设计，可为新的开关保护模块提供必要的隔离度，以保证较长的使用寿命。Pickering还提供标准和定制电缆解决方案，可以帮助将产品集成到用户的测试系统中。

　　工业5.0注重智慧化、感测能力和高度自动化，代表着智慧工业领域的新一波革命，在这个背景下，工业自动化和物联网应用在多个领域对高精准、小型化传感器的需求不断增加。NuMicro M091系列32位高整合模拟微控制器，为提高模拟功能与数字控制的精准度，以小封装的尺寸整合了丰富的模拟周边，包含模拟数字转换器 (ADC) 以及数字模拟转换器 (DAC) 并且支持多达四组精密运算放大器 (OP Amp), 同时具有全方位的周边支持，成为光电、压力以及位置传感器领域的。
借助新推出的TimeProvider XT扩展系统，网络运营商可以利用可靠、可扩展和灵活的先进技术，覆盖或取代 SONET/SDH 同步系统。对于网络运营商来说，XT解决方案是一项极具吸引力的投资，它不仅仅是传统BITS/SSU设备的替代品，还增加了PRTC功能，可为下一代网络提供频率、时间和相位。
jst接插件可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET
　　对于 Mac，可提供高达 85W 的直通充电，可为 MacBook Air 或 MacBook Pro 供电。Satechi 提供的新型多端口适配器有深空灰色、银色和午夜色，与 Apple 的颜色选项相匹配，并且由铝制成。
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。

　　TGN298系列采用了55nm制程工艺，写入/擦除次数（P/E Cycle）达10万次，数据有效保存期限可达20年，同时产品支持-40℃~85℃宽温工作环境以及2.7V~3.6V工作电压，关断电流低至 1μA，从容应对各种复杂环境，有效保障设备持久、可靠运行。此外，产品支持ID、安全的OTP、安全存储等多种安全功能，可为OTA更新和设备身份验证等操作提供高规格防护，确保高安全性。
jst接插件　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
　　此次英特尔发布的G-Flow浸没式液冷解决方案集创新设计与高能效于一体，涵盖了创新的浸没式液冷机柜及其配套的液冷服务器散热解决方案。该方案采用了新颖的浸没式系统设计，可以在无需额外能耗的情况下，显著增加通过CPU或GPU散热器的冷却液流量。
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。