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  想象一下:2022年铁人三项世锦赛Gustav Iden,在夏威夷科纳的终点线上举起双手庆祝胜利,他的身上就佩戴着来自艾迈斯欧司朗的嵌入式温度传感器。Gustav Iden和KristianA Blummenfelt这对挪威铁人三项双雄根据CORE提供的深度数据来微调他们的训练策略,确保他们在比赛中保持领先。
jst连接器凭借其卓越的技术实力和创新精神,再次推出了一款革命性的产品——DM160三相异步电机。这款电机不仅满足了塑料工业、厂内物流和食品技术等众多行业的需求,还在运输、包装、成型等应用场景中展现了其卓越的性能。
  纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻(20至55mΩ)相结合,并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
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  Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现,与Arm Cortex-A55相比, Dubhe-70性能高出80%,能效比高出32%,面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比,Dubhe-70的能效比提升21%,面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域,涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。
  Microchip执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示:“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的,随着市场发展,我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品,旨在支持智能边缘,满足所有细分市场的广泛性能需求。”
  为了打造更贴近中国消费者的AI体验,三星在不断创新Galaxy AI功能的同时,也秉承积极开放的合作理念,与国内优质的合作伙伴开展了深入的合作,致力于构建更加完善的Galaxy AI生态,带来更为丰富的体验。
“为 Raspberry Pi 5 编写的 Debian 架构通用软件几乎在所有情况下都可以直接在 Tachyon 上运行,而在其他情况下可能需要进行轻微修改 – 例如使用 Tachyon 上的内置 AI 加速器。”
REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W,具有 4:1(9-36 VDC 或 18-75 VDC)输入电压范围,提供多种稳压输出电压选项:3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V(仅限 REC10K)。此外,REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围,而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调,并提供开/关控制功能。
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为此,村田开发了“Type 2GT”模块,这是村田首款同时支持LoRaWAN和卫星通信的产品。本产品配备了率先支持LoRaWAN和卫星通信的Semtech公司芯片组“LoRa Connect LR1121”,可进行860MHz至930MHz及2.4GHz(ISM Band)且发射功率达到22dBm的远距离通信和卫星通信。 通过村田特有的无线设计技术、节省空间的安装技术和产品加工技术,实现了小型化和高性能化。此外,它还获得了欧洲、美国、加拿大和日本的标准,有助于实现IoT设备设计流程合理化并缩短终产品上市所需的时间。
jst连接器TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器,带有冗余,经济实惠,由 4 个惠斯通电桥组成,适用于角度检测
  在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内,角度精度可达±1.0°
  三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备,采用了环形曲线设计的钛金属边框,具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索,三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态,为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。
  Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET,Rds(on)范围为1.8至15mΩ,100V器件的Rds(on)范围为2.07mΩ以上。
  该公司表示:“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时,专注于通过低Qg(总)和低Qgd来实现高效率。然而,Nexperia认为Qrr同样重要,因为它会影响尖峰效应,进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰(EMI)量。

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